AlGaN/GaN HEMT器件的高温特性

• 作者: 冯士维 吕长治 张小玲 李岩 李志国 李鹏 谢雪松
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 氮化镓 高电子迁移率器件 高温性能
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 页码范围: 171-172,176
• 页数: 3页
• 分类号: TN325
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2004.07.046

摘要

研究了AlGaN/GaN HEMT器件在室温、100℃、200℃和300℃下的工作性能.当栅长为1μm时,器件的最大漏源电流和非本征跨导在室温下的数值为1.02A/mm和230mS/mm.温度升高到100℃时几乎没有变化,温度升高到300℃时,最大漏源电流和跨导分别下降到0.69 A/mm和118.25mS/mm,下降的百分比分别为:67.6%和51.4%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李志国	北京工业大学电子信息与控制工程学院	57	418	12.0	18.0
2	李鹏	北京工业大学电子信息与控制工程学院	20	86	5.0	9.0
3	冯士维	北京工业大学电子信息与控制工程学院	59	438	12.0	18.0
4	谢雪松	北京工业大学电子信息与控制工程学院	66	554	14.0	20.0
5	张小玲	北京工业大学电子信息与控制工程学院	69	447	11.0	18.0
6	李岩	北京工业大学电子信息与控制工程学院	8	42	4.0	6.0
7	吕长治	北京工业大学电子信息与控制工程学院	2	51	2.0	2.0