GaN微波器件转移特性脉冲测试研究

• 作者: 廖雪阳 李沙金
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 转移特性 脉冲 静态工作点
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 可靠性物理与失效分析技术
• 页码范围: 10-15
• 页数: 6页
• 分类号: TN385|TN407
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2017.05.003

摘要

对GaN微波器件的转移特性开展了脉冲测试研究.通过改变脉冲通道的数量、 静态工作点和脉冲宽度,获得了不同的脉冲测试条件下GaN晶体管的转移特性,并对不同测试条件下的测试结果进行了对比分析,获得了不同的脉冲测试条件对器件转移特性的影响.得到了GaN晶体管的转移特性对栅极脉冲比较敏感,漏极脉冲只是在栅极电压作用下起辅助作用,其对转移特性的影响程度主要依据栅极电压的影响而定的结论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	廖雪阳		2	4	2.0	2.0
3	李沙金		3	12	2.0	3.0