GaN基微波半导体器件研究进展

• 作者: 张进城 李培咸 杨燕 郝跃
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 微波大功率 调制掺杂场效应晶体管
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 页码范围: 367-372,421
• 页数: 7页
• 分类号: TN304
• 字数: 5644字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2004.03.009

摘要

GaN基微波器件以其优良的特性而在微波大功率方面具有应用潜力.对GaN半导体材料作了比较和讨论,说明了GaN材料在微波大功率应用方面的优势,并阐述了新型GaN基微波器件的最新进展,通过与其他微波器件的比较表明了GaN调制掺杂场效应晶体管在微波大功率应用方面所具有的明显优势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	杨燕	西安电子科技大学微电子研究所	18	93	5.0	8.0
3	张进城	西安电子科技大学微电子研究所	52	301	9.0	14.0
4	李培咸	西安电子科技大学微电子研究所	36	324	10.0	17.0