基于失效机理的半导体器件寿命模型研究

• 作者: 吴金 姚建楠 赵霞
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 半导体器件 加速寿命试验 失效机理
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 可靠性物理与失效分析技术
• 页码范围: 15-18
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.01
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2007.06.005

摘要

微电子技术的发展使得集成电路的可靠性愈来愈重要,为了在较短的时间内得到产品可靠性数据,使用加速寿命试验是十分有效的方法.而使用加速寿命试验进行可靠性分析,关键是能够得到合适的寿命模型.不同的失效机理对器件寿命的影响是不同的.详细考虑了半导体器件的3个主要失效机理:电迁移、腐蚀和热载流子注入的影响因素,介绍了相应的寿命模型,并且通过具体的数据计算所得到的加速因子,对半导体器件在不同状态下的寿命情况进行了比较.