半导体器件寿命计算

• 作者: 蔡玲芳
• 来源期刊: 杭州电子科技大学学报（自然科学版）
• 关键词: 半导体器件 寿命计算 失效率 阿伦纽斯模型
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 页码范围: 132-134
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.01
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9146.2012.05-035

摘要

该文简要介绍通过半导体器件的环境试验计算器件寿命.首先介绍了4种加速模型,以及各模型的应用；其次,根据给定的置信度水平以及试验结果查×2分布表；而后,根据试验时间和样本量求得失效率；最后,根据电子元器件服从指数分布的假设条件,求得器件的寿命.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡玲芳	中国电子科技集团公司第三十六研究所	1	7	1.0	1.0