AlGaN/GaN HEMT低温直流特性研究

• 作者: 吕长志 张浩 徐立国 朱修殿 杨集
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: AlGaN/GaN HEMT 低温特性 饱和漏极电流 阈值电压
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 页码范围: 7-9
• 页数: 3页
• 分类号: TN325
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2005.11.003

摘要

研究了20℃～-70℃栅宽为100μm、栅长为1μm的AlGaN/GaN HEMT的直流特性.随温度降低,电子迁移率增大,而二维电子气密度基本不变,HEMT饱和漏电流IDsat增大;阈值电压低温时有所下降,在一定温度范围内变化不明显,其原因除栅肖特基势垒高度、AlGaN/GaN导带差发生变化外,还可能与器件制备工艺和源极串联电阻有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕长志	北京工业大学电子信息与控制工程学院可靠性物理研究室	60	471	12.0	18.0
2	徐立国	北京工业大学电子信息与控制工程学院可靠性物理研究室	3	22	2.0	3.0
3	朱修殿	北京工业大学电子信息与控制工程学院可靠性物理研究室	4	35	3.0	4.0
4	张浩	北京工业大学电子信息与控制工程学院可靠性物理研究室	21	93	5.0	9.0
5	杨集	北京工业大学电子信息与控制工程学院可靠性物理研究室	9	152	7.0	9.0