微波功率AlGaN/GaN HEMT的研究进展

• 作者: 张进城 郝跃 马香柏
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN 微波 功率
• 年，卷（期）: 2006,（10）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TN1
• 字数: 3964字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2006.10.001

摘要

文章论述了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在微波功率领域应用的优势,详细介绍了微波功率AlGaN/GaN HEMT的工艺进展以及器件的直流和频率特性,评述了其最新进展及今后发展方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	312	1866	17.0	25.0
2	张进城	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	52	301	9.0	14.0
3	马香柏	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	4	15	3.0	3.0