AlGaN/GaN HEMT电容及充电时间的研究

• 作者: 侯斌武 卢俏 夏士超 宋晓敏 席瑞媛 李梦宇 赵红东
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN HEMT 频率 电容充电时间 掺杂浓度 厚度
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 531-534
• 页数: 4页
• 分类号: TN325.3
• 字数: 2220字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2016.03.007

摘要

通过计算AlGaN/GaN HEMT二维电子气中的电势、载流子以及调制掺杂载流子寿命，得到AlGaN/GaN HEMT电容和充电时间，研究了AlGaN掺杂层浓度和厚度对器件的时间响应，并分析了AlGaN/GaN HEMT器件的高频特性。结果表明，栅电容随着AlGaN掺杂层浓度和厚度的增加逐渐减小。随着AlGaN层掺杂浓度的增大，电容充电时间先减后增，当掺杂浓度达到1.24×1019 cm-3时，电容充电时间达到极小值，在AlGaN掺杂层厚度等于7 nm时电容充电时间最短。