Ka波段AlGaN/GaN HEMT的研制

• 作者: 刘新宇 刘果果 王东方 袁婷婷 魏珂
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 高电子迁移率晶体管 Ka波段 毫米波
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 255-259
• 分类号: TN325+.3
• 字数: 3163字
• 语种: 中文

摘要

为了提高AlGaN/GaN HEMT的频率,采用了缩小源漏间距、优化栅结构和外围结构等措施设计了器件结构,并基于国内的GaN外延片和工艺完成了器件制备.测试表明所研制的AlGaN/GaN HEMT可以满足Ka波段应用.其中2×75μm栅宽AlGaN/GaN HEMT在30V漏压下的截止频率为32GHz,最大振荡频率为150GHz;在30GHz连续波测试条件下,线性增益达到10.2dB.6×75μm栅宽AlGaN/GaN HEMT的截止频率为32GHz,最大振荡频率为92GHz;在30GHz连续波测试条件下,线性增益达到8.5dB.器件的击穿电压在60V以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	王东方	中国科学院微电子研究所	22	199	9.0	13.0
6	刘果果	中国科学院微电子研究所	12	56	4.0	7.0
7	魏珂	中国科学院微电子研究所	24	134	5.0	10.0
8	袁婷婷	中国科学院微电子研究所	3	26	2.0	3.0