AlN阻挡层对AlGaN/GaN HEMT器件的影响

• 作者: 冯倩 张进城 张金凤 李培咸 杨燕 王冲 郝跃
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN AlN阻挡层 二维电子气 HEMT
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2396-2400
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2361字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.12.024

摘要

利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN异质结和AlGaN/AlN/GaN异质结二维电子气材料,采用相同器件工艺制造出了AlGaN/GaN HEMT器件和AlGaN/AlN/GaN HEMT器件.通过对两种不同器件的比较和讨论,研究了AlN阻挡层的增加对AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响.