AlGaN/GaN HEMT器件直流扫描电流崩塌机理及其物理模型

• 作者: 张进城 张金凤 郝跃 韩新伟
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AlGaN/GaN HEMT 直流扫描 电流崩塌 模型
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3622-3628
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 字数: 5849字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.07.071

摘要

通过对AlGaN/GaN HEMT器件直流扫描情况下电流崩塌现象和机理的分析,建立了一个AlGaN/GaN HEMT器件的直流扫描电流崩塌模型.该模型从AlGaN/GaN器件工作机理出发,综合考虑了器件结构、半导体表面与界面,以及量子阱特殊结构对电流崩塌的影响.实验反复证明了该模型与实验结果有良好的一致性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子学院	312	1866	17.0	25.0
2	张进城	西安电子科技大学微电子学院	52	301	9.0	14.0
3	韩新伟		1	16	1.0	1.0
4	张金凤		1	16	1.0	1.0