栅脉冲下AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究

• 作者: 杜江锋 杨谟华 罗谦 靳翀 龙飞
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 电流崩塌效应 AlGaN/GaN HEMT 栅脉冲 表面态
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 页码范围: 26-28
• 页数: 3页
• 分类号: TN3
• 字数: 2180字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.01.007

摘要

源于AlGaN/GaNHEMT器件的大量测试分析发现,栅脉冲条件下漏极电流比直流情况下减小了47%;随着信号频率的改变,漏极电流按μnCoxW[α+(0.13+0.64f)VGS+(0.13+0.32 f)VGS2](VGS-Vth)2/L的规律变化;脉冲信号宽度对漏电流崩塌影响较小.基于实验结果的理论分析认为,电子从栅极注入到栅漏之间并被表面态所俘获,在沟道中形成增加的耗尽层,使得沟道二维电子气浓度减小,从而导致形成电流崩塌效应的主要原因之一.该结论有助于AlGaN HEMT器件脉冲条件下电流崩塌效应理论解释和器件应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨谟华	电子科技大学微电子与固体电子学院	58	278	8.0	11.0
2	杜江锋	电子科技大学微电子与固体电子学院	18	52	5.0	6.0
3	靳翀	电子科技大学微电子与固体电子学院	9	23	3.0	4.0
4	罗谦	电子科技大学微电子与固体电子学院	19	63	5.0	6.0
5	龙飞	电子科技大学微电子与固体电子学院	4	11	2.0	3.0