AlGaN表面坑状缺陷及GaN缓冲层位错缺陷对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的影响

• 作者: 任凡 席光义 李洪涛 江洋 汪莱 罗毅 赵维 郝智彪 韩彦军
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN HEMT 电流崩塌 坑状缺陷 位错缺陷
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 7238-7243
• 页数: 6页
• 分类号: TN3|O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.11.087

摘要

利用金属有机气相外延(MOVPE)技术生长了具有不同AlGaN表面坑状缺陷和GaN缓冲层位错缺陷密度的AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT)样品,并对比研究了两种缺陷对器件栅、漏延迟电流崩塌效应的影响.栅延迟测试表明,AlGaN表面坑状缺陷会引起栅延迟电流崩塌效应和源漏电阻的增加,而且表面坑状缺陷越多,栅延迟电流崩塌程度和源漏电阻的增加越明显.漏延迟测试显示,AlGaN表面坑状缺陷对漏延迟电流崩塌影响不大,而GaN缓冲层位错缺陷主要影响漏延迟电流崩塌.研究结果表明,AlGaN表面坑状缺陷和GaN缓冲层位错缺陷分别是引起AlGaN/GaN HEMT栅、漏延迟电流崩塌的电子陷阱来源之一.