GaN薄膜表面缺陷密度的提取

• 作者: 任春丽 冯倩 张会宁 王俊平 郝跃
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 氮化镓薄膜 缺陷 密度提取 二值化 数学形态学
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 页码范围: 194-197
• 页数: 4页
• 分类号: TP34
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2006.03.055

摘要

在GaN薄膜制备中,薄膜表面缺陷密度提取是改进质量的重要依据.文章通过对若干幅GaN薄膜缺陷图像的分析,提出一种GaN薄膜缺陷密度的提取方法.该方法首先采用阈值分割法二值化背影复杂的GaN薄膜表面图像:然后基于数学形态学方法提取出薄膜表面缺陷的密度;最后给出了薄膜表面缺陷粒径的分布模型.实验结果表明此方法使GaN薄膜表面缺陷提取简单且易于测量,为分析缺陷原因提高薄膜质量起到重要的指导作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子学院	312	1866	17.0	25.0
2	冯倩	西安电子科技大学微电子学院	35	224	7.0	13.0
3	张会宁	西安电子科技大学通信工程学院	9	90	5.0	9.0
4	任春丽	西安电子科技大学微电子学院	16	17	2.0	4.0
5	王俊平	西安电子科技大学微电子学院	31	284	10.0	16.0