基于RHEED图像外延GaN基薄膜表面晶格演变分析

• 作者: 秦福文 郎佳红 顾彪
• 来源期刊: 安徽工业大学学报（自然科学版）
• 关键词: 高能电子衍射仪 氮化镓 薄膜 晶格
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 页码范围: 67-71
• 页数: 5页
• 分类号: TN2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-7872.2007.01.018

摘要

通过阐述外延薄膜进行原位监测的反射高能电子衍射(RHEED)以及RHEED图像的条纹或点阵与GaN基薄膜表面形貌的关系,提出了基于RHEED图像分析外延GaN基薄膜晶体结构演变情况,从衬底α-Al2O3的氢氮等离子体清洗、氮化、生长缓冲层以及生长外延层进行具体的分析、比较和演算.结果表明衬底在清洗前后表面晶格常数基本保持一致,对于氮化层、缓冲层以及外延层情况,表面原子层处于应变状态.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	秦福文	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	40	235	8.0	14.0
2	顾彪	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	41	363	12.0	18.0
3	郎佳红	安徽工业大学电气信息学院	37	83	5.0	7.0