超晶格插入层对Si基上GaN薄膜位错密度的影响

• 作者: 冯玉春 刘晓峰 彭冬生
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: GaN Si(111) 超晶格 位错密度
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 自发光显示器
• 页码范围: 61-64
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.054
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.01.015

摘要

为了降低MOCVD外延生长Si基GaN的缺陷密度,尝试引入超品格插入层.界面突变的超晶格插入层能有效地阻挡由缓冲层延伸出来的位错.即使超晶格本身也产生位错,但位错的产生率比阻挡率低,所以超晶格总体起阻挡作用,可以减少后续生长的 HT-GaN(高温氮化镓)的位错密度.研究了超晶格厚度对 HT-GaN 的位错密度的影响.比较了超晶格厚度不同的3个样品,并采用高分辨双晶X射线衍射(DCXRD)对CaN进行结晶质量的分析,分别用 H3PO4+H2SO4 混合溶液和熔融 KOH 对样品进行腐蚀并用扫描电子显微镜(SEM)对腐蚀的样品进行观察.用 H3PO4+H2SO4 腐蚀过的样品比用KOH 腐蚀过的样品的位错密度大,进一步验证了之前有报道过的 H3PO4+H2SO4 溶液同时腐蚀螺位错和混合位错而 KOH只腐蚀螺位错.分析结果表明.引入适当厚度的超晶格插入层,可以有效地降低后续生长的 GaN 的位错密度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯玉春	深圳大学光电子学研究所	19	103	7.0	9.0
2	彭冬生	中国科学院西安光机所	7	33	3.0	5.0
3	刘晓峰	深圳大学光电子学研究所	4	20	2.0	4.0