Si晶体中60°位错与空位缺陷相互作用的分子动力学研究

• 作者: 孟庆元 李成祥 李根 杨立军 果立成
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: 分子动力学 位错 位错运动 空位缺陷 模拟
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 专题研究
• 页码范围: 1352-1356
• 页数: 5页
• 分类号: O411.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-987X.2006.11.025

摘要

为了研究晶格常数不匹配的异质结结构(Si1-xGex/Si)在生长过程中低温缓冲层内的位错运动特性,在Si晶体中建立了60°位错偶极子,以及相对于位错不同空间位置的5种六边形环状空位缺陷模型.基于分子动力学理论,并通过Parrinello-Rahman方法施加剪应力使位错运动,研究了不同空间位置空位缺陷对于60°位错运动的影响,发现各种类型的空位缺陷均会阻碍位错运动,导致位错线弯曲,而位错远离空位缺陷的部分在交会过程中出现了先加速、后减速的现象.模拟结果表明:使位错不被钉扎住的临界外加剪应力随着温度的上升而减小,在上述模型中当温度达到300K以上就稳定于0.6 GPa附近,小于SiGe体系中的失配应力,说明空位缺陷不会成为60°位错的钉扎点,仅会对其运动产生迟滞.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孟庆元	哈尔滨工业大学航天科学与力学系	21	87	6.0	7.0
2	李根	哈尔滨工业大学航天科学与力学系	13	202	7.0	13.0
3	杨立军	哈尔滨工业大学航天科学与力学系	46	263	10.0	15.0
4	李成祥	哈尔滨工业大学航天科学与力学系	7	40	4.0	6.0
5	果立成	哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所	10	50	4.0	7.0