Si晶体中60°位错运动的分子动力学研究

• 作者: 孟庆元 李成祥 李根 杨立军 钟康游
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 位错运动速度 分子动力学模拟 声子拖动效应
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 页码范围: 456-460
• 页数: 5页
• 分类号: O772
• 字数: 1736字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.005

摘要

在Si晶体中建立了60°位错偶极子模型并通过Parrinello-Rahman方法施加剪应力,使用分子动力学方法研究了60°位错在不同的温度和剪应力作用下的运动特性.观察到了位错速度与剪应力成正比关系;而温度对位错速度的影响,随着外加剪应力的不同呈现出三种趋势:(1) 低剪应力作用下,位错速度与温度成正比关系;(2)剪应力达到0.6GPa附近时,位错速度与温度呈反比关系,声子拖动效应开始起作用;(3)当剪应力达到2GPa时,位错速度稳定在某一特定值,不再明显随温度的变化而变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孟庆元	哈尔滨工业大学航天科学与力学系	21	87	6.0	7.0
2	李根	哈尔滨工业大学航天科学与力学系	13	202	7.0	13.0
3	杨立军	哈尔滨工业大学航天科学与力学系	46	263	10.0	15.0
4	李成祥	哈尔滨工业大学航天科学与力学系	7	40	4.0	6.0
5	钟康游	哈尔滨工业大学航天科学与力学系	3	9	2.0	3.0