Si中30°部分位错弯结-重构缺陷运动特性的分子模拟

• 作者: 孟庆元 王庆盛
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: 部分位错 分子动力学 弯结-重构缺陷 迁移势垒
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 页码范围: 124-127,132
• 页数: 5页
• 分类号: O411.3|O474
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-987X.2009.05.026

摘要

通过基于EDIP(Environment-Dependent Interatomic Potential)势函数的分子动力学模拟,得到了左弯结-重构缺陷(LC)和右弯结-重构缺陷(RC)在1个周期内通过稳定状态之间的相互转化来实现运动的具体过程,同时给出了LC和RC在不同温度和剪应力作用下的运动速度曲线.通过NEB(Nudged Elastic Band)方法结合紧束缚势函数,计算出了LC和RC在1个周期内的迁移势垒,验证了分子动力学结果的正确性.计算结果表明,含有重构缺陷(RD)的LC和RC相对于左弯结和右弯结具有较快的运动速度,验证了之前得出的RD对30°部分位错的运动具有加速作用的结论,并且通过对弯结运动过程中微观结构的分析,从微观尺度上对这一结论进行了解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孟庆元	哈尔滨工业大学航天科学与力学系	21	87	6.0	7.0
2	王庆盛	哈尔滨工业大学航天科学与力学系	1	3	1.0	1.0