Si晶体中螺位错滑移特性的分子动力学

• 作者: 孟庆元 李成祥 李根 杨立军 果立成
• 来源期刊: 吉林大学学报（理学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 计算物理学 位错运动 分子动力学 空位缺陷 位错运动速度 Si晶体
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 物理
• 页码范围: 259-264
• 页数: 6页
• 分类号: O411.3
• 字数: 3364字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-5489.2007.02.023

摘要

在保持Si晶体模型完全周期性的边界条件下,采用位错偶极子模型在其内部建立一对螺位错.通过Parrinello-Rahman方法对模型施加剪应力,并应用分子动力学计算位错运动速度及交滑移的发生与外加剪应力间的关系.在此基础上进一步研究晶体内的空位缺陷对螺位错运动的影响.结果表明,在位错滑移面上的六边形环状空位聚集体可加速螺位错的运动,并且螺位错能通过交滑移跨越该空位缺陷,避免产生钉扎现象.揭示了低温层中大量存在的空位缺陷是降低位错密度的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孟庆元	哈尔滨工业大学航天科学与力学系	21	87	6.0	7.0
2	李根	哈尔滨工业大学航天科学与力学系	13	202	7.0	13.0
3	杨立军	哈尔滨工业大学航天科学与力学系	46	263	10.0	15.0
4	李成祥	哈尔滨工业大学航天科学与力学系	7	40	4.0	6.0
5	果立成	哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所	10	50	4.0	7.0