位错芯重构缺陷对于Si中位错运动的影响

• 作者: 孟庆元 李成祥 杨立军 果立成 钟康游
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 低温缓冲层 30°部分位错 弯结 重构缺陷 位错运动 分子动力学
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1940-1944
• 页数: 5页
• 分类号: O474
• 字数: 2811字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.11.010

摘要

为了研究晶格常数不匹配的异质结SiGe/Si生长过程中低温缓冲层内缺陷对位错运动的影响,使用位错偶极子模型在Si晶体内建立了一对30°部分位错,和导致30°部分位错运动的弯结结构,以及位错芯重构缺陷(RD)与弯结组合而生成的弯结-RD结构.通过分子动力学模拟,使用Parrnello-Rahmman方法施加剪应力促使位错运动,得到了左右弯结-RD结构在迁移过程中的8种稳定构型,并且使用NEB方法和紧束缚势计算了纯弯结和弯结-RD迁移过程中势垒高度,发现弯结-RD的迁移能力要高于纯弯结结构.从模拟结果推断出,低温层生长技术中的Si低温缓冲层由于低温限制了重构缺陷的运动,减少其相遇发生湮灭的概率,从而使得更多的弯结能够与重构缺陷结合生成弯结-RD结构来提高30°部分位错的运动能力,由此释放异质结结构失配应力所需的位错密度会随之减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孟庆元	哈尔滨工业大学航天科学与力学系	21	87	6.0	7.0
2	杨立军	哈尔滨工业大学航天科学与力学系	46	263	10.0	15.0
3	李成祥	哈尔滨工业大学航天科学与力学系	7	40	4.0	6.0
4	果立成	哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所	10	50	4.0	7.0
5	钟康游	哈尔滨工业大学航天科学与力学系	3	9	2.0	3.0