大直径SI-GaAs中的位错和微缺陷

• 作者: 刘彩池 孙卫忠 赵彦桥 郝秋艳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SI-GaAs 化学腐蚀法 位错 微缺陷
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 133-136
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 1777字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.031

摘要

利用化学腐蚀法对直径150mm LEC SI-GaAs单晶片进行腐蚀,并用金相显微镜对腐蚀后的样品进行检测.在样品中发现了不同形貌的位错和微缺陷,其中球形微缺陷和胞状位错尤为常见.本文对样品中缺陷的类型、密度和分布等情况进行了描述和讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙卫忠	河北工业大学信息功能材料研究所	15	133	3.0	11.0
2	刘彩池	河北工业大学信息功能材料研究所	63	305	11.0	14.0
3	郝秋艳	河北工业大学信息功能材料研究所	37	179	9.0	12.0
4	赵彦桥	河北工业大学信息功能材料研究所	4	3	1.0	1.0