位错与纳米裂纹干涉的反平面问题

• 作者: 席俊平 肖万伸
• 来源期刊: 湖南大学学报（自然科学版）
• 关键词: 表面效应 纳米裂纹 螺型位错 应力场 位错力
• 年，卷（期）: 2018,（12）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 80-84
• 页数: 5页
• 分类号: O343.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.16339/j.cnki.hdxbzkb.2018.12.012

摘要

针对位错与纳米裂纹干涉的反平面问题,提出了一种新方法,得出了精确解.首先利用复变函数中的保角变换方法,将直线裂纹问题化为孔板问题,再借助于柯西积分,获得了该问题的精确解答,然后分别推导出有、无表面效应作用时的应力场和位错力的解析表达式.数值结果表明:当裂纹尺寸缩减到纳米量级时,表面效应的影响使裂纹尖端附近的应力场和位错力减小,但随着裂纹长度的增大,表面效应的影响能力逐渐减弱,含表面效应的解答逐渐趋近于无表面效应的经典弹性理论解答.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖万伸	湖南大学机械与运载工程学院	22	58	5.0	6.0
2	席俊平	湖南大学机械与运载工程学院	1	1	1.0	1.0