具有AlGaN/GaN超晶格的GaN基LED的PL分析

• 作者: 丁娟 王丹丹 韩孟序
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN超晶格 LED GaN PL
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 光电·材料
• 页码范围: 62-64
• 页数: 3页
• 分类号: TN23
• 字数: 2643字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2015.02.017

摘要

主要分析了具有p-ALGaN/GaN超晶格的360 nmGaN基LED的光学性能.插入的p-ALGaN/GaN超晶格结构可以看做是提高空穴注入的空穴限制层.经过PL测试发现,PL谱出现了明显的双峰以及蓝带发光,前者是由插入的超晶格引起,而蓝带荧光则是由超晶格中深能级N空住与Mg浅受主能级之前的辐射跃迁引起的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王丹丹	西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院	5	6	2.0	2.0
2	韩孟序	西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院	4	4	1.0	1.0
3	丁娟	西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院	3	7	2.0	2.0