使用AlN/GaN超晶格势垒层生长高Al组分AlGaN/GaN HEMT结构

• 作者: 丁国建 周均铭 徐培强 贾海强 邢志刚 郭丽伟 陈弘 陈耀
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AlGaN/GaN结构 AlN/GaN超晶格 二维电子气 高电子迁移率晶体管
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 5724-5729
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

在蓝宝石衬底上生长了以AlN/GaN超晶格准AlGaN合金作为势垒的HEMT结构材料,并与传统AlGaN合金势垒样品进行了对比.在高Al组分(≥40%)情况下,超晶格势垒样品的表面形貌明显改进,电学性能特别是2DEG面电子浓度也有所改进.对超晶格势垒生长参数进行了初步优化,使得HEMT结构薄层电阻进一步降低,最后获得了251Ω/口的薄层电阻.