Al组分阶变势垒层AlGaN/AlN/GaN HEMTs的制备及性能

• 作者: 冉军学 李建平 王晓亮 王翠梅 肖红领 胡国新 马志勇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/AlN/GaN Pendell(o)sung条纹 金属有机物化学气相沉积 高电子迁移率晶体管
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 394-397
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 1669字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.101

摘要

用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上生长了Al组分阶变势垒层结构的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管结构材料.用三晶X射线衍射(TCXRD)和原子力显微镜(AFM)对材料的结构、界面特性和表面形貌进行了研究.测试结果表明该材料具有优良的晶体质量和表面形貌,GaN(0002)衍射蜂的半高宽为4.56＇,AFM 5μm×5μm扫描面积的表面均方根粗糙度为0.159nm;TCXRD测试中在AlGaN(0002)衍射峰右侧观察到Pendell(o)sung条纹,表明AlGaN势垒层具有良好的晶体质量和高的异质结界面质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李建平	中国科学院半导体研究所	251	4235	35.0	54.0
2	王晓亮	中国科学院半导体研究所	38	212	9.0	12.0
3	胡国新	中国科学院半导体研究所	13	83	4.0	8.0
4	王翠梅	中国科学院半导体研究所	9	34	3.0	5.0
5	肖红领	中国科学院半导体研究所	7	26	3.0	5.0
6	冉军学	中国科学院半导体研究所	7	32	3.0	5.0
7	马志勇	中国科学院半导体研究所	1	0	0.0	0.0