RF-MBE生长的高Al势垒层AlGaN/GaN HEMT结构

• 作者: 冉军学 刘新宇 刘键 曾一平 李晋闽 王军喜 王晓亮 王翠梅 胡国新 钱鹤
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高电子迁移率晶体管 GaN 二维电子气 RF-MBE 功率器件
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1116-1120
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 379字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.06.009

摘要

采用RF-MBE技术,在蓝宝石衬底上生长了高Al组分势垒层AlGaN/GaN HEMT结构.用三晶X射线衍射分析得到AlGaN势垒层的Al组分约为43%,异质结构晶体质量较高,界面比较光滑.变温霍尔测量显示此结构具有良好的电学性能,室温时电子迁移率和电子浓度分别高达1246cm2/(V·s)和1.429×1013cm-2,二者的乘积为1.8×1016V-1·s-1.用此材料研制的器件,直流特性得到了提高,最大漏极输出电流为1.0A/mm,非本征跨导为218mS/mm.结果表明,提高AlGaN势垒层Al的组分有助于提高AlGaN/GaN HEMT结构材料的电学性能和器件性能.