RF-MBE生长AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料

• 作者: 刘宏新 刘成海 孙殿照 曾一平 李晋闽 林兰英 王晓亮 胡国新
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: RF-MBE 二维电子气 HFET AlGaN/GaN
• 年，卷（期）: 2001,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1425-1428
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 1990字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.11.015

摘要

用射频等离子体辅助分子束外延技术(RF-MBE)在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料.所外延的GaN膜室温背景电子浓度为2×1017cm-a,相应的电子迁移率为177cm2/(V·s);GaN(0002)X射线衍射摇摆曲线半高宽(FWHM)为6′;AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料的室温电子迁移率为730cm2/(V·s),相应的电子气面密度为7.6×1012cm-2;用此二维电子气材料制作的异质结场效应晶体管(HFET)室温跨导达50mS/mm(栅长1μm),截止频率达13GHz(栅长0.5μm).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓亮	中国科学院半导体所材料中心	38	212	9.0	12.0
2	胡国新	中国科学院半导体所材料中心	13	83	4.0	8.0
3	李晋闽	中国科学院半导体所材料中心	75	652	13.0	23.0
4	林兰英	中国科学院半导体所材料中心	33	145	7.0	10.0
5	曾一平	中国科学院半导体所材料中心	85	439	11.0	16.0
6	孙殿照	中国科学院半导体所材料中心	10	98	5.0	9.0
7	刘宏新	中国科学院半导体所材料中心	6	56	4.0	6.0
8	刘成海	中国科学院半导体所材料中心	4	37	3.0	4.0