低温GaN插入层对AlGaN/GaN二维电子气特性的改善

• 作者: 倪金玉 张东国 彭大青 李亮 李忠辉 董逊
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD 缓冲层 AlGaN/GaN 二维电子气
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 页码范围: 1406-1409
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 1999字
• 语种: 中文

摘要

利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN二维电子气(2DEG)材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层对二维电子气输运特性的影响.使用原子力显微镜(AFM)和非接触霍尔测试仪测量了材料的表面形貌和电学特性,发现低温GaN插入层可以改善材料表面平整度并使AlGaN/GaN 2DEG的电子迁移率有明显提高,GaN插入层温度为860℃的样品在室温下2DEG的电子迁移率达到2110 cm2/V·s.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董逊	南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室	9	39	3.0	6.0
2	李亮	南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室	4	15	2.0	3.0
3	李忠辉	南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室	9	25	3.0	4.0
4	彭大青	南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室	4	15	2.0	3.0
5	张东国	南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室	2	2	1.0	1.0