AlGaN/GaN中二维电子气研究新进展

• 作者: 张金凤 郝跃
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN异质结 电荷控制 输运特性
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 页码范围: 326-330
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 3694字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2003.03.009

摘要

AlGaN/GaN异质结是氮化物微波功率器件的基本结构之一,其优越性的关键是在异质界面上形成具有高面电子密度和高迁移率的二维电子气.给出了AlGaN/GaN异质结二维电子气的面电子密度、迁移率对氮化物材料性质、异质结结构参数和温度的依赖关系,以及两者内在矛盾等方面的研究现状,指出了该领域内仍需深入研究的问题,如面电子密度的温度特性、迁移率随合金层的变化关系以及迁移率随面电子密度的变化关系等.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子所	312	1866	17.0	25.0
2	张金凤	西安电子科技大学微电子所	16	87	7.0	8.0