表面态对AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的影响

• 作者: 李德昌 谢峰
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN 表面态 GaN冒层
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 光电·材料
• 页码范围: 78-80
• 页数: 3页
• 分类号: TN305
• 字数: 1178字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2009.03.024

摘要

基于静电学分析,得出表面态是电子的一个重要来源.基于这一分析,可以解释已发表的关于二维电子气(2DEC)的大量数据.例如,2DEG密度随着AlGaN层厚度、Al组分的变化的原因.当A10.3Ga0.7N/GaN结构中生长一层5 nm厚的GaN冒层时,2DEG浓度由1.47×1013cm-2减少到1.20×1013cm-2,减少是由于表面类施主态离化减少.由于充分厚的GaN冒层导致GaN/AlGaN/GaN上界面形成二维空穴气(2DHG),所以在超出特定的冒层厚度时2DEG浓度达到饱和.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李德昌	西安电子科技大学理学院	20	82	6.0	7.0
2	谢峰	西安电子科技大学技术物理学院	1	0	0.0	0.0