GaN异质结的二维表面态

• 作者: 薛舫时
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化物表面 二维表面态 极化吸附层 电流崩塌
• 年，卷（期）: 2005,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1939-1944
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 4185字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.10.014

摘要

提出了氮化物表面强极化电荷产生薄吸附层形成的二维表面态新模型.从薛定谔方程和泊松方程的自洽计算中得到了新的二维表面态.计算了不同吸附层能带带阶、厚度和表面势下的表面状态,研究了表面态与异质结构间的关联.算得的表面能级同实验测量数据相吻合.用该态模型解释了氮化物产生高密度表面态的原因和深表面能级与较浅的瞬态电流激活能间的矛盾.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛舫时		30	154	7.0	11.0