AlGaN/GaN异质结中二维电子气多子带解析建模

• 作者: 刘红侠 卢风铭 宋大建 武毅 王勇淮
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: A1xGa1-xN/GaN异质结 二维电子气 多子带模型 能级分布
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 页码范围: 147-151
• 分类号: TN401
• 字数: 2659字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2011.05.024

摘要

为了能够方便精确地研究AlxGa1-xN/GaN异质结中二维电子气性质,提出一种多子带二维电子气的解析模型.利用此模型能够求出二维电子气能带、子能级、波函数和量子特性的解析解.通过模型计算还可以得到二维电子气的分布变化、面电子密度、基带能级、费米能级和势阱随A1组分及A1GaN层厚度的改变.与泊松-薛定谔自洽求解结果相比较,此模型能够给出精确的结论,并避免了泊松-薛定谔自洽求解复杂的数值计算和耗时长等缺点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘红侠	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	91	434	10.0	15.0
2	卢风铭	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	1	1	1.0	1.0
3	王勇淮	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	2	2	1.0	1.0
4	宋大建	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	1	1	1.0	1.0
5	武毅	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	1	1	1.0	1.0