高迁移率AlGaN-GaN二维电子气

• 作者: 刘祥林 王成新 韩培德
• 来源期刊: 高技术通讯
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 2DEG MOVPE
• 年，卷（期）: 2000,（6）
• 所属期刊栏目: 研究通讯
• 页码范围: 13-15
• 页数: 3页
• 分类号: TQ16
• 字数: 2696字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-0470.2000.06.004

摘要

用金属有机物气相外延(MOVPE)方法在(0001)蓝宝石衬底上生长了AlxGa1-xN/GaN二维电子气(2DEG)结构.Al0.13Ga0.87N(700nm)/GaN(600nm)异质结的室温电子迁移率达1024 cm2/Vs,而GaN体材料的室温电子迁移率为390 cm2/Vs;该异质结的77 K电子迁移率达3500 cm2/Vs,而GaN体材料的电子迁移率在185 K下达到峰值,为490 cm2/Vs,77 K下下降到250 cm2/Vs.2DEG的质量属国内领先水平,并接近国际领先水平.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘祥林	中国科学院半导体材料开放实验室	19	103	5.0	9.0
2	韩培德	中国科学院半导体材料开放实验室	35	127	6.0	9.0
3	王成新	中国科学院半导体材料开放实验室	19	921	12.0	19.0