0.5μm栅长HfO2栅介质的GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管

• 作者: 孔月婵 朱琳 王创国 韩克锋
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: 高电子迁移率晶体管 氮化镓 栅电流 射频特性
• 年，卷（期）: 2017,（8）
• 页码范围: 72-76
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.2|TN325+.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.7652/xjtuxb201708012

摘要

为了抑制GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅极漏电,提出了一种0.5 μm栅长的GaN金属氧化物半导体(MOS)高电子迁移率晶体管结构.该结构采用势垒层部分挖槽,并用高介电常数绝缘栅介质的金属氧化物半导体栅结构替代传统GaN HEMT中的肖特基栅.基于此结构制备出一种GaN MOSHEMT器件,势垒层总厚度为20 nm,挖槽深度为15 nm,栅介质采用高介电常数的HfO2,器件栅长为0.5 μm.对器件电流电压特性和射频特性的测试结果表明:所制备的GaN MOSHEMT器件最大电流线密度达到0.9 A/mm,开态源漏击穿电压达到75 V;与GaNHEMT器件相比,其栅极电流被大大压制,正向栅压摆幅可提高10倍以上,并达到与同栅长GaNHEMT相当的射频特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱琳	中国电子科技集团公司第五十五研究所	8	6	2.0	2.0
2	孔月婵	中国电子科技集团公司第五十五研究所	17	1	1.0	1.0
3	韩克锋	中国电子科技集团公司第五十五研究所	7	3	1.0	1.0
4	王创国	中国电子科技集团公司第五十五研究所	3	1	1.0	1.0