溶胶凝胶法制备以HfO2为绝缘层和ZITO为有源层的高迁移率薄膜晶体管?

• 作者: 张建华 朱乐永 李喜峰 高娅娜
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 薄膜晶体管 氧化铪 锌铟锡氧化物 场效应迁移率
• 年，卷（期）: 2015,（16）
• 页码范围: 168501-1-168501-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.64.168501

摘要

采用溶胶凝胶法制备了h-k氧化铪HfO2薄膜,经500?C退火后,获得了高透过率、表面光滑、低漏电流和相对高介电常数的HfO2薄膜.并采用氧化铪作为绝缘层和锌铟锡氧化物作为有源层成功地制备了底栅顶接触结构薄膜晶体管器件.获得的薄膜晶体管器件的饱和迁移率大于100 cm2·V?1·s?1,阈值电压为?0.5 V,开关比为5×106,亚阈值摆幅为105 mV/decade.表明采用溶胶凝胶制备的薄膜晶体管具备高的迁移率,其迁移率接近低温多晶硅薄膜晶体管的迁移率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张建华	上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室	106	709	13.0	21.0
2	李喜峰	上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室	21	70	5.0	6.0
3	高娅娜	上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室	3	9	2.0	3.0
4	朱乐永	上海大学材料科学与工程学院	1	3	1.0	1.0