L-MBE法制备以ZnO为沟道层的薄膜晶体管

• 作者: 侯洵 刘振玲 娄辉 张伟风 张新安 张景文 杨晓东
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 激光分子束外延 ZnO薄膜 薄膜晶体管
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1051-1054
• 页数: 4页
• 分类号: O472+.4
• 字数: 1595字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.06.020

摘要

采用激光分子束外延法(L-MBE)在SiNx/Si(111)衬底上制备了高质量的ZnO薄膜,用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对薄膜的晶体结构、表面形貌进行了表征,结果表明ZnO薄膜有高度的c轴择优取向,薄膜表面平整致密.并以ZnO薄膜为沟道层制作了薄膜晶体管(ZnO-TFT),该晶体管工作在n沟道增强模式,阈值电压为17.5V,电子的场迁移率达到1.05cm2/(V·s).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张新安	河南大学物理与信息光电子学院	14	56	6.0	6.0
3	张伟风	河南大学物理与信息光电子学院	66	248	8.0	10.0
4	娄辉	河南大学物理与信息光电子学院	3	10	2.0	3.0
5	张景文	西安交通大学信息光子技术省重点实验室	20	109	7.0	9.0
6	杨晓东	西安交通大学信息光子技术省重点实验室	6	59	5.0	6.0
7	刘振玲	西安交通大学信息光子技术省重点实验室	2	8	1.0	2.0