非晶IGZO透明导电薄膜的L-MBE制备

• 作者: 侯洵 张景文 王东 王建功 种景
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 非晶IGZO 透明导电薄膜 L-MBE
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 页码范围: 133-136
• 页数: 4页
• 分类号: O756|O472+.3|O472+.4
• 语种: 中文

摘要

报道了一种利用等离子辅助激光分子束外延技术(L-MBE)在石英衬底上制备IGZO透明导电薄膜的新工艺.该工艺在超高真空中进行,可以有效避免杂质和污染,提高薄膜的纯度和光学、电学性能.通过优化生长时的气体离化功率,在300W射频功率下,得到光学电学性能优良的非晶态IGZO透明导电薄膜,其可见光范围内透过率超过80%,其室温电子迁移率高达16.14cm2v-1s-1,明显优于目前薄膜晶体管(TFT)中常用的非晶硅和有机物材料.测试结果表明,采用此工艺制备的非晶态IGZO透明导电薄膜,具有优良的光学、电学特性,能代替非晶硅和有机物,提高TFT-LCD的性能,实现真正的全透明、高亮度及柔性显示.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	侯洵	西安交通大学陕西省信息光子技术重点实验室	46	244	9.0	13.0
2	王东	西安交通大学陕西省信息光子技术重点实验室	25	127	8.0	10.0
3	张景文	西安交通大学陕西省信息光子技术重点实验室	20	109	7.0	9.0
4	种景	西安交通大学陕西省信息光子技术重点实验室	1	7	1.0	1.0
5	王建功	西安交通大学陕西省信息光子技术重点实验室	1	7	1.0	1.0