ZnO基薄膜晶体管的研究

• 作者: 曾祥斌 程松华
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO TFT 迁移率 开/关电流比 有源矩阵液晶显示器 开口率
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 页码范围: 515-520
• 页数: 6页
• 分类号: TN141|TN386.2
• 字数: 3249字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.023

摘要

ZnO是一种宽带隙的光电半导体材料,能应用于很多领域,如可用在压敏变阻器、声表面波器件、气敏元件、紫外光探测等.ZnO也可以作为有源层应用于薄膜晶体管(TFT)中.ZnO基薄膜晶体管具有以下突出优势:对于可见光部分平均具有80 %以上的透射率,迁移率可以高达36 cm2/V·s,开/关电流比大于106,可在较低温度(甚至室温)下制备.基于这些优点,ZnO TFT具有取代有源矩阵液晶显示器中常规a-Si TFT的趋势.同时对ZnO TFT的研究也推动了透明电子学的发展.本文阐述了ZnO TFT优越的电学性能,指出了其目前尚存在的不足,并对其发展前景进行了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾祥斌	华中科技大学电子科学与技术系	45	285	10.0	14.0
2	程松华	华中科技大学电子科学与技术系	2	26	2.0	2.0