氧化锌基薄膜晶体管制备与研究

• 作者: 付国柱 常遇春 曹健林 朱慧超 杜国同 杨小天 王超 荆海 董秀茹 金虎 马仙梅 高博 高文涛 齐晓薇
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化锌 透明 薄膜晶体管 MOCVD
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 液晶和其它非自发光显显示器
• 页码范围: 121-123
• 页数: 3页
• 分类号: TN321.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.01.029

摘要

以玻璃为衬底,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在360℃附近实现ZnO薄膜的生长.利用ZnO为有源层制备底栅型薄膜晶体管.SiO2 被用作栅绝缘材料以有效的抑制漏泄电流的产生,达到氧化锌薄膜晶体管 (ZnO-TFT) 成功运作目的.ZnO-TFT 的电流开关(on/off)比达到104以上.ZnO-TFT 在可见光区平均光透过率大约为80%.以上表明利用ZnO 替代传统 Si 材料作有源层材料制备透明薄膜晶体管是可能的.