绝缘层材料及结构对薄膜晶体管性能的影响

• 作者: 吴胜利 李尊朝 李欣予 王若铮
• 来源期刊: 液晶与显示
• 关键词: 半导体器件仿真 薄膜晶体管 绝缘层 氮化硅 二氧化铪 叠层结构
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 344-351
• 页数: 8页
• 字数: 3694字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20173205.0344

摘要

基于半导体仿真软件Silvaco TCAD对薄膜晶体管(TFT)进行器件仿真,并结合实验验证,重点分析不同绝缘层材料及结构对TFT器件性能的影响.仿真及实验所用薄膜晶体管为底栅电极结构,沟道层采用非晶IGZO材料,绝缘层采用SiNx和HfO2多种不同组合的叠层结构.仿真及实验结果表明:含有高k材料的栅绝缘层叠层结构较单一SiNx绝缘层结构的TFT性能更优;对SiNx/HfO2/SiNx栅绝缘层叠层结构TFT,HfO2取40 nm较为合适;对含有高k材料的3层和5层绝缘层叠层结构TFT,各叠层厚度相同的对称结构TFT性能最优.本文通过仿真获得了TFT性能较优的器件结构参数,对实际制备TFT器件具有指导作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴胜利	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	46	216	9.0	12.0
5	李尊朝	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	31	275	8.0	16.0
9	李欣予	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	1	3	1.0	1.0
13	王若铮	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	2	3	1.0	1.0