AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率器件的电容电压特性的经验拟合

• 作者: 刘新宇 王鑫华 蒲颜 赵妙 郑英奎 魏珂
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: HEMT 费米能级 C-V特性 二维势阱的电子限制能力
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 542-546
• 分类号: O472.4
• 语种: 中文

摘要

利用蓝宝石衬底的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率器件(HEMT)的电容电压(C-V)特性,对电子费米能级与二维电子气面密度的经验关系进行表征,其结果对器件电荷控制模型的建立,跨导及电容表达式的简化有重要意义.文章创新性地提出参数α用于表征二维势阱对沟道电子限制能力,并认为α越小则二维势阱的沟道电子限制能力越强.利用上述经验关系来拟合电容,可以获得与实测电容很好的一致性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	141	717	13.0	18.0
2	蒲颜	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	2	1	1.0	1.0
3	郑英奎	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	15	43	4.0	6.0
4	赵妙	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	5	20	3.0	4.0
5	王鑫华	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	6	0	0.0	0.0