AlGaN/GaN高电子迁移率器件外部边缘电容的物理模型

• 作者: 刘乃漳 姚若河 张雪冰
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: HEMT 外部边缘电容 沟道长度调制效应 模型
• 年，卷（期）: 2020,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 271-279
• 页数: 9页
• 字数: 4240字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.69.20191931

摘要

AlGaN/GaN HEMT外部边缘电容Cofd是由栅极垂直侧壁与二维电子气水平壁之间的电场构成的等效电容.本文基于保角映射法对Cofd进行物理建模,考虑沟道长度调制效应,研究外部偏置、阈值电压漂移和温度变化对Cofd的影响:随着漏源偏压从零开始增加,Cofd先保持不变再开始衰减,其衰减速率随栅源偏压的增加而减缓; AlGaN势垒层中施主杂质浓度的减小和Al组分的减小都可引起阈值电压的正向漂移,正向阈值漂移会加强沟道长度调制效应对Cofd的影响,导致Cofd呈线性衰减.在大漏极偏压工作情况下,Cofd对器件工作温度的变化更加敏感.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚若河	华南理工大学电子与信息学院	126	611	11.0	18.0
2	张雪冰	华南理工大学电子与信息学院	2	0	0.0	0.0
3	刘乃漳	华南理工大学电子与信息学院	2	0	0.0	0.0