不同AlGaN层厚度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的静态特性

• 作者: 吴桐 唐广 孙长征 罗毅 胡卉 郝智彪 郭文平
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高电子迁移率晶体管 氮化镓 功率器件
• 年，卷（期）: 2003,（11）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1130-1134
• 页数: 5页
• 分类号: TN325+.3
• 字数: 938字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.11.002

摘要

利用金属有机化合物气相外延技术研究了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的外延生长及器件制作,重点比较了具有不同AlGaN层厚度的HEMT器件的静态特性.实验发现具有较薄AlGaN隔离层的结构表现出较好的器件特性.栅长为1μm的器件获得了650mA/mm的最大饱和电流密度和100mS/mm的最大跨导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴桐	清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室	2	3	1.0	1.0
2	郝智彪	清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室	12	34	2.0	5.0
3	唐广	清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室	2	4	2.0	2.0
4	郭文平	清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室	2	2	1.0	1.0
5	胡卉	清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室	1	2	1.0	1.0
6	孙长征	清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室	22	73	3.0	8.0
7	罗毅		1	2	1.0	1.0