AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管小信号等效电路的参数提取

• 作者: 常远程 张义门 张玉明 曹全君 王超
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN HEMTs 小信号 参数提取
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 页码范围: 49-53
• 页数: 5页
• 分类号: TN3
• 字数: 272字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.01.013

摘要

本文在高电子迁移率晶体管(HEMT)小信号等效电路模型的基础上,考虑了AlGaN/GaN HEMT的结构特性,具体分析了寄生参数和本征参数的提取方法.采用这些方法,实际测量了5～10 GHz频率下HEMT器件的小信号S参数并提取了它的电学参数,S参数的计算值与实际测量值进行了比较.实验结果表明此方法简单易行,较为精确.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子所教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子所教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室	126	777	15.0	20.0
3	王超	西安电子科技大学微电子所教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室	43	424	12.0	19.0
4	曹全君	西安电子科技大学微电子所教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室	2	6	1.0	2.0
5	常远程	西安电子科技大学微电子所教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室	4	15	2.0	3.0