InAlN/GaN异质结二维电子气波函数的变分法研究

• 作者: 李群 种景 陈谦
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: InAlN/GaN异质结 二维电子气 变分法 波函数
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 242-248
• 页数: 7页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.67.20171827

摘要

使用变分法推导了InAlN/GaN异质结二维电子气波函数和基态能级的解析表达式,并讨论了InAlN/GaN 异质结结构参数对二维电子气电学特性的影响.在假设二维电子气来源于表面态的前提下,使用了一个包含两个变分参数的尝试波函数推导电子总能量期望值,并通过寻找能量期望极小值确定变分参数.计算结果显示,二维电子气面密度随InAlN厚度的增大而增大,且理论结果与实验结果一致.二维电子气面密度增大抬高了基态能级与费米能级,并保持二者之差增大以容纳更多电子.InAlN/GaN界面处的极化强度失配随着In组分增大而减弱,二维电子气面密度随之减小,并导致基态能级与费米能级减小.所建立的模型能够解释InAlN/GaN 异质结二维电子气的部分电学行为,并为电子输运与光学跃迁的研究提供了解析表达式.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李群	西安理工大学自动化与信息工程学院	12	193	8.0	12.0
2	陈谦	西安理工大学自动化与信息工程学院	5	29	3.0	5.0