AlGaN/GaN HEMT二维静态模型与模拟

• 作者: 余志平 刘明 夏洋 王燕 薛丽君 谢常青 邵雪 马杰 鲁净
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管 二维模型与模拟 极化电荷 量子效应
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 298-303
• 页数: 6页
• 分类号: TN313+.2
• 字数: 863字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.02.019

摘要

考虑AlGaN/GaN材料的自发、压电极化效应和量子效应,通过泊松方程、薛定谔方程和流体力学方程组的数值自洽求解方法,对AlGaN/GaN HEMT的二维静态模型与模拟问题进行了研究,得到了器件区域的导带图、二维电子气分布、电子温度特性、直流输出和转移特性,并对模拟结果进行了分析与讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘明	中国科学院微电子研究所	207	1983	20.0	38.0
2	夏洋	中国科学院微电子研究所	67	325	9.0	14.0
3	马杰	中国科学院微电子研究所	32	227	10.0	14.0
4	薛丽君	中国科学院微电子研究所	8	141	3.0	8.0
5	谢常青	中国科学院微电子研究所	50	258	9.0	12.0
6	王燕	清华大学微电子研究所	55	351	8.0	17.0
7	邵雪	清华大学微电子研究所	3	12	1.0	3.0
8	鲁净	清华大学微电子研究所	3	15	1.0	3.0