基于蓝宝石衬底的高性能AlGaN/GaN二维电子气材料与HEMT器件

• 作者: 张进城 王冲 王峰祥 郝跃
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD AlGaN/GaN 二维电子气 HEMT
• 年，卷（期）: 2004,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1281-1284
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 1971字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.10.017

摘要

利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了高性能的AlGaN/GaN二维电子气(2DEG)材料,室温和77K温度下的电子迁移率分别为946和2578cm2/(V*s),室温和77K温度下2DEG面密度分别为1.3×1013和1.27×1013cm-2.并利用AlGaN/GaN二维电子气材料制造出了高性能的HEMT器件,栅长为1μm,源漏间距为4μm,最大电流密度为485mA/mm(VG=1V),最大非本征跨导为170mS/mm(VG=0V),截止频率和最高振荡频率分别为6.7和24GHz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	张进城	西安电子科技大学微电子研究所	52	301	9.0	14.0
3	王冲	西安电子科技大学微电子研究所	17	107	7.0	9.0
4	王峰祥	西安电子科技大学微电子研究所	5	22	4.0	4.0