最大振荡频率为200GHz的蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT

• 作者: 刘新宇 刘果果 牛洁斌 魏珂 黄俊
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN HEMT 蓝宝石衬底 fmax InGaN背势垒 湿法腐蚀
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 页码范围: 289-292
• 分类号: TN325+.3
• 字数: 783字
• 语种: 中文

摘要

报道了最大振荡频率为200 GHz的基于蓝宝石衬底的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT).外延材料结构采用InGaN背势垒层来减小短沟道效应,器件采用凹栅槽和T型栅结合的工艺,实现了Ka波段AlGaN/GaNHEMT.器件饱和电流达到1.1 A/mm,跨导为421 mS/mm,截止频率(fT)为30 GHz,最大振荡频率(fmax)为105GHz.采用湿法腐蚀工艺将器件的Si3N4钝化层去除后,器件的Cgs和Cgd减小,器件截止频率提高到50 GHz,最大振荡频率提高到200 GHz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘果果	微电子器件与集成技术重点实验室中国科学院微电子研究所	1	18	1.0	1.0
2	魏珂	微电子器件与集成技术重点实验室中国科学院微电子研究所	1	18	1.0	1.0
3	黄俊	微电子器件与集成技术重点实验室中国科学院微电子研究所	1	18	1.0	1.0
4	刘新宇	微电子器件与集成技术重点实验室中国科学院微电子研究所	1	18	1.0	1.0
5	牛洁斌	微电子器件与集成技术重点实验室中国科学院微电子研究所	1	18	1.0	1.0