蓝宝石衬底AlGaN/GaN功率HEMTs研制

• 作者: 刘新宇 刘键 吴德馨 和致经 邵刚 陈晓娟 魏珂
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN HEMT 微波功率 单位截止频率
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 页码范围: 381-384
• 页数: 4页
• 分类号: TN325
• 字数: 2485字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2004.03.002

摘要

基于蓝宝石衬底的高微波特性AlGaN/GaN HEMTs功率器件,器件采用了新的欧姆接触和新型空气桥方案.测试表明,器件电流密度0.784 A/mm,跨导197 mS/mm,关态击穿电压>80 V,截止态漏电很小,栅宽1 mm的器件的单位截止频率(fT)达到20 GHz,最大振荡频率(f max)28 GHz,2 GHz脉冲测试下,栅宽0.75 mm器件,功率增益 11.8 dB,输出功率31.2 dBm,功率密度1.75 W/mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所四室	141	717	13.0	18.0
2	吴德馨	中国科学院微电子研究所四室	58	345	11.0	14.0
3	刘键	中国科学院微电子研究所四室	28	152	8.0	11.0
4	和致经	中国科学院微电子研究所四室	36	229	9.0	13.0
5	魏珂	中国科学院微电子研究所四室	24	134	5.0	10.0
6	陈晓娟	中国科学院微电子研究所四室	26	185	9.0	12.0
7	邵刚	中国科学院微电子研究所四室	5	46	3.0	5.0